MOSFETを２つ（４つ）使ってハーフブリッジ（フルブリッジ）回路を組もうとすると、N-chMOSFETだけではできないことに気づく。
負荷電源側Vss側につないだMOSFETが開通するとDrainとSourceの電圧差がなくなり（Sourceの電圧が上昇し）、GateーSource間の電圧差がなくなるためである。
N-ch MOSFETのみで組もうとして失敗した回路
Gate-Source間の電圧差を維持するためには電源電圧以上の電圧をGateに印加する必要がある。
P-chMOSFETとN-chMOSFETを組み合わせてゲートドライブする方法があるが(http://d.hatena.ne.jp/seinzumtode/20140913/1410582391)、一般にP-chMOSFETは耐圧Vds（＋許容損失PD）が低いので、N-chMOSFETのみを用いて回路を構成したい。
一つには電源電圧より高い別電源（フローティング電源）を用意する方法があるが、電源を増やすのはあまり好ましくない。
ブートストラップコンデンサを使ってチャージポンプ昇圧回路を組むことでこれを達成する方法がある。
http://micro.rohm.com/jp/techweb/knowledge/dcdc/dcdc_sr/dcdc_sr01/829
秋月でハーフブリッジ用のICが販売されているので、これを利用すれば良さそう。
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-06209/
参考回路
http://nekolab.blogspot.jp/2014/10/fetir2302.html
再設計した
