ブートストラップ回路の計算

http://www.nteku.com/toransistor/n-mosfet-drive.aspx

設計した回路
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MOSFETの選択

・SE80100GA　を選択した　
耐圧80V ドレイン電流100A しきいち電圧Vgs2.5V
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ゲート抵抗RGの計算

・参考とした回路にならって47オームを選定した。
ゲートのチャージ時間を計算したら約1µsだった。
ゲート電流は53mA(=12V/47Ω)。

clear; close all; clc;
E=12; %V
R=47; %ohm
C=4120*1e-12;%F
ndiv=100;
tmax = 3; %µs
t = linspace(0,tmax*1e-6,ndiv);
i = E*(1-exp(-1/(R*C)*t));
plot(t,i);
% set(gca, 'XScale', 'log')

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コンデンサ Cbsの選択

MOSFETゲート入力容量Qgの10倍以上を選ぶ。
下記よりQgは58nC。　Q=CVよりC=Q/V。
C=10•Q/V=10•(58x1e-9)/(12-0.6)= 5.0877e-08 = 50.877e-09 = 50nF 以上であればよい。
今回は10µFを選定しているので問題ない。
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